Назва |
Two-Dimensional Analytical Modeling of Threshold Voltage of Doped Short-Channel Triple-Material Double-Gate (Tm-Dg) MOSFET's |
Автори |
Sarvesh Dubey, Dheeraj Gupta, Pramod Kumar Tiwari, S. Jit |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
Сторінки |
0576 - 0583 |
Назва |
A 2-D Analytical Threshold Voltage Model for Symmetric Double Gate MOSFET's Using Green’s Function |
Автори |
Anoop Garg, S.N. Sinha, R.P. Agarwal |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
Сторінки |
0894 - 0902 |
Назва |
Features of Electronic Emission from Surface of Dielectric Thin-film Materials with Ion-beam Etching |
Автори |
A. Kurochka, A. Sergienko, S. Kurochka, V. Kolybelkin |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 3 |
Сторінки |
03031-1 - 03031-3 |
Назва |
An Analysis of the Deposition Process and the Structure of Ferroelectric Langmuir Films of Barium Titanate |
Автори |
A.P. Kuzmenko, I.V. Chuhaeva, P.V. Abakumov, M.B. Dobromyslov, N.A. Emelyanov |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Сторінки |
04025-1 - 04025-4 |
Назва |
Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad |
Автори |
Neha Goel, Manoj Kumar Pandey |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 1 |
Сторінки |
01041-1 - 01041-4 |
Назва |
An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors |
Автори |
N. Bora, P. Das, R. Subadar |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
Сторінки |
02003-1 - 02003-4 |
Назва |
A Two Dimensional Surface Potential Model for Triple Material Double Gate Junctionless Field Effect Transistor |
Автори |
A. Kumar, A. Chaudhry, V. Kumar, V. Sharma |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Сторінки |
04042-1 - 04042-5 |
Назва |
Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor |
Автори |
Manjula Vijh, R.S. Gupta, Sujata Pandey |
Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
Сторінки |
01030-1 - 01030-4 |