| Назва |
Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі |
| Автори |
В.М. Катеринчук, З.Р. Кудринський, З.Д. Ковалюк |
| Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
| Сторінки |
02042-1 - 02042-4 |
| Назва |
Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару |
| Автори |
З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, З.Р. Кудринський, О.С. Литвин |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 3 |
| Сторінки |
03027-1 - 03027-5 |
| Назва |
Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3 |
| Автори |
В.М. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Б.В. Кушнір, О.С. Литвин |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 3 |
| Сторінки |
03032-1 - 03032-4 |
| Назва |
Вплив технологічних факторів на електрофізичні характеристики фотоперетворювачів |
| Автори |
А.О. Ніконова, O.Ю. Небеснюк, З.A. Ніконова |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 5 |
| Сторінки |
05012-1 - 05012-5 |
| Назва |
Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки |
| Автори |
А.О. Ніконова, O.Ю. Небеснюк, З.A. Ніконова |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Сторінки |
05014-1 - 05014-5 |
