Назва |
Моделювання механічно з’єднаного три-перехідного сонячного елементу GaInP / GaAs / Si |
Автори |
О.Б. Гниленко, С.В. Плаксін |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
Сторінки |
04057-1 - 04057-6 |
Назва |
Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs |
Автори |
Zohmingmawia Renthlei, Swagat Nanda, Rudra Sankar Dhar |
Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
Сторінки |
05013-1 - 05013-6 |
Назва |
Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET |
Автори |
Payal Kumari, Swagat Nanda, Priyanka Saha, Rudra Sankar Dhar |
Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
Сторінки |
02004-1 - 02004-4 |