| Назва |
A Study of Schottky Barrier Height Inhomogeneity on In/P-Silicon |
| Автори |
B.P. Modi |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0680 - 0683 |
| Назва |
Effect of Series Resistance and Interface State Density on Electrical Characteristics of Au/SiO2/n-GaN Schottky Diodes |
| Автори |
M. Siva Pratap Reddy, B. Prasanna Lakshmi, A. Ashok Kumar, V. Rajagopal Reddy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0832 - 0837 |
| Назва |
Thermal Annealing Behaviour on Electrical Properties of Pd/Ru Schottky Contacts on n-Type GaN |
| Автори |
N. Nanda Kumar Reddy, V. Rajagopal Reddy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0921 - 0925 |
| Назва |
Analytical Estimate of Open-Circuit Voltage of a Schottky-Barrier Solar Cell Under High Level Injection |
| Автори |
Pramila Mahala, Sanjay Kumar Behura, A. Ray |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0979 - 0991 |
| Назва |
Phase Transition Sensitive Schottky Barriers In Ga-Si(P) Contacts |
| Автори |
B.P. Modi, J.M. Dhimmar, K.D. Patel |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 2 |
| Сторінки |
02005-1 - 02005-3 |
| Назва |
Basic Principles of Betavoltaic Elements and Prospects of their Development |
| Автори |
A.A. Davydov, Ye.N. Fyodorov, D.S. Kiselev, A.V. Popkova |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 3 |
| Сторінки |
03049-1 - 03049-3 |
| Назва |
Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SіC)1 – x(AlN)x |
| Автори |
V.I. Altukhov, B.A. Bilalov, A.V. Sankin, S.V. Filipova |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
| Сторінки |
04003-1 - 04003-4 |
| Назва |
Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions |
| Автори |
V.A. Skryshevsky, O.M. Kostiukevych, V.V. Lendiel, O.V. Tretyak |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Сторінки |
01023-1 - 01023-3 |
