Назва |
Modeling of Electron Mobility of GaN at Low Temperature and Low Electric Field |
Автори |
Souradeep Chakrabarti, Shyamasree Gupta Chatterjee, Somnath Chatterjee |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
Сторінки |
1071 - 1080 |
Назва |
Fe-doped SnO2: A Quantum-chemical Approach |
Автори |
A. Stashans, P. Puchaicela |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
Сторінки |
02032-1 - 02032-3 |
Назва |
Semiholographic Approach in Calculation of Tunneling Current in Graphene with Deep Impurities |
Автори |
M.B. Belonenko, N.N. Konobeeva |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Сторінки |
04029-1 - 04029-3 |
Назва |
Structure Features of Bismuth Films Doped with Tellurium |
Автори |
D.Yu. Matveev, D.V. Starov, E.V. Demidov |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 2 |
Сторінки |
02047-1 - 02047-3 |
Назва |
Influence of Impurity on the Properties of Chemically Synthesized Calcium Hydroxide |
Автори |
Harish, Pushpendra Kumar, Jyoti Kumari, Priyanka Phalswal, Pawan K. Khanna, Amena Salim, Rahul Singhal, Anoop Kumar Mukhopadhyay, Rajendra P. Joshi |
Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 1 |
Сторінки |
01029-1 - 01029-5 |