| Назва |
Застосування структури зі зворотним подвійним дрейфом для виготовлення GaN IMPATT діода, що працює у терагерцевому діапазоні |
| Автори |
Sahanowaj Khan, Rishav Dutta, Aritra Acharyya, Arindam Biswas, Hiroshi Inokawa, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 3 |
| Сторінки |
03014-1 - 03014-4 |
| Назва |
Покращений діод Ганна мікронних розмірів на основі варізонного GaPAs – GaInAs |
| Автори |
Ігор Стороженко, Сергій Санін |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Сторінки |
01027-1 - 01027-5 |
| Назва |
Дослідження характеристик радіоканалу в терагерцовому діапазоні |
| Автори |
Serghini Elaage, Mohammed El Ghzaoui, Nabil Mrani, S.V. Kumari, Sudipta Das |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 3 |
| Сторінки |
03007-1 - 03007-5 |
