Back

Results (5):

Назва Zinc Oxide Nanostructures by Oxidation of Zinc Films Deposited on Oxidized Silicon Substrate
Автори H.J. Pandya, S. Chandra
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 2
Сторінки 0409 - 0413
Назва The Silicon-to-Silicon Anodic Bonding Using Sputter Deposited Intermediate Glass Layer
Автори R. Tiwari, S. Chandra
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 2
Сторінки 0418 - 0425
Назва Theoretical Study on the Electrical Properties of Some Semiconducting Rare Earth Chalcogenides Sm1-xEuxS and Sm1-xYbxS Under Pressure
Автори S. Ariponnammal, S. Chandrasekaran
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0529 - 0535
Назва Study of Charge Transfer in Semiconducting Rare Earth Chalcogenide Thulium Telluride (TmTe)
Автори S. Ariponnammal, S.K. Rathiha, S. Chandrasekaran
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0536 - 0541
Назва Investigation of Implantation-Induced Damage in Indium Phosphide for Layer Transfer Applications
Автори U. Dadwal, V. Pareek, R. Scholz, M. Reiche, S. Chandra, R. Singh
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 1081 - 1085