Автори | В.І. В’юник, А.А. Звягінцев |
Афіліація | Харківський національний університет, пл. Свободи 4, 61077, Харків, Україна |
Е-mail | vladdal@gmail.com |
Випуск | Том 2, Рік 2010, Номер 2 |
Дати | Одержано 04.05.2010, у відредагованій формі – 21.07.2010 |
Цитування | В.І. В’юник, А.А. Звягінцев, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №2, 103 (2010) |
DOI | |
PACS Number(s) | 41.20.Jb |
Ключові слова | Розсіювання (35) , Діелектричний шар (2) , Імпедансний циліндр, Граничні умови, Приведений імпеданс. |
Анотація | У роботі отримані приведені граничні умови для імпедансного кругового циліндра, покритого тонким шаром низькоконтрасного діелектрика. Отримано вираз для приведеного імпедансу циліндра. Визначено умови і межі застосування використовуваного підходу. Досліджено вплив імпедансу покриття на приведений імпеданс циліндра. |
Перелік посилань |