Виготовлення гетеропереходу наночастинок p-Bi2O3/n-CdSe за різних температур підкладки

Автори S.A. Najim1 , A.A. Sulaiman1 , K.M. Muhammed2
Афіліація

1University of Mosul, 41002 Mosul, Iraq

2Sahl Nineveh University, Mosul, Iraq

Е-mail suhaabdullah@uomosul.edu.iq
Випуск Том 18, Рік 2026, Номер 4
Дати Одержано 08 березня 2026; у відредагованій формі 16 серпня 2026; опубліковано online 21 серпня 2026
Цитування S.A. Najim, A.A. Sulaiman, K.M. Muhammed, Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 4, 04033 (2026)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.18(4).04033
PACS Number(s) 61.46.Df, 78.67.Bf
Ключові слова Наночастинки Bi2O3, Плівки CdSe, Спрей (19) , CBD (7) , Гетероперехід (16) .
Анотація

Наночастинки селеніду кадмію та оксиду вісмуту були синтезовані методом хімічного осадження у ванні. Наночастинки CdSe мають негативну провідність (n-тип), а Bi2O3 мають позитивну провідність (p-тип), обидві утворюють p-n гетероперехід. Напівпровідники Bi2O3 були осаджені методом розпилювального піролізу за різних температур підкладки (100, 200 та 300 C) для кожних 10 розпилень на напівпровідники CdSe, отримані на скляних підкладках методом CBD. Були досліджені електричні характеристики діода Bi2O3/CdSe за температур (100, 200 та 300 C) в темряві та на освітленні. Температура підкладки впливала на такі параметри діода, як прямий струм та струм насичення. Порогова напруга знижувалася зі збільшенням температури підкладки на 300 C. Коефіцієнт ідеальності наночастинок Bi2O3/CdSe змінювався з температурою підкладки, він збільшувався та досягав максимального. значення при 300 C. Енергія забороненої зони має мінімальне значення при 100 C та збільшується приблизно на 0,15 % порівняно з температурою підкладки 300 C. Площа поперечного перерізу наночастинок Bi2O3/CdSe досліджувалася за допомогою поперечного скануючого електронного мікроскопа (SEM) при (100, 200 та 300 C). Поверхня ставала шорсткою при 300 C, що призвело до значного стимулювання росту зерен.

Перелік посилань