Фотоелектричні властивості кремнію, легованого марганцем і германієм

Автори N.F. Zikrillaev , G.A. Kushiev , S.B. Isamov , B.A. Abdurakhmanov , O.B. Tursunov
Приналежність

Tashkent State Technical University, 100095 Tashkent, Uzbekistan

Е-mail
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 1
Дати Одержано 05 грудня 2022; у відредагованій формі 17 лютого 2023; опубліковано online 24 лютого 2023
Посилання N.F. Zikrillaev, G.A. Kushiev, S.B. Isamov, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 1, 01021 (2023)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.15(1).01021
PACS Number(s) 66.30.Lw, 73.50.Pz
Ключові слова Дифузія (32) , Германій (7) , Марганець, Кремній (85) , Розчинність (4) , Концентрація (13) , Бінарні комплекси.
Анотація

It was established that during the growth there is an interaction between Ge and Mn atoms. This is confirmed by the disappearance of the energy level of manganese in silicon, which is responsible for quenching photoconductivity in silicon doped with manganese atoms.Установлено, що зразки кремнію, леговані атомами марганцю та германію, утворюють бінарні сполуки типу Si2GeMn, які сильно впливають на електрофізичні та оптичні властивості кремнію. Показано, що вплив атомів марганцю після дифузії в кремній призводить до 10 % зниження концентрації оптично активного кисню. Експериментально доведено, що кремній, легований атомами германію та марганцю, може бути використаний для розробки інфрачервоних фотодетекторів, що працюють в діапазоні довжин хвиль 1-8 мкм і дозволяють більш чутливо детектувати інфрачервоне випромінювання та температуру. Установлено, що під час росту відбувається взаємодія між атомами Ge і Mn. Це підтверджується зникненням рівня енергії марганцю в кремнії, який відповідає за гасіння фотопровідності в кремнії, легованому атомами марганцю.

Перелік посилань