Аналітична модель ширини збідненої зони та порогової напруги безперехідного польового транзистора з паралельним затвором
| Автори | A.K. Raibaruah, K.C.D. Sarma |
| Приналежність |
Central Institute of Technology Kokrajhar, Department of Instrumentation Engineering, 783370, India |
| Е-mail | ak.raibaruah@cit.ac.in |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
| Дати | Одержано 19 травня 2022; у відредагованій формі 10 серпня 2022; опубліковано online 25 серпня 2022 |
| Посилання | A.K. Raibaruah, K.C.D. Sarma, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 4, 04005 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04005 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | Безперехідний (6) , Польовий ефект, Ширина збідненої зони, Порогова напруга (4) . |
| Анотація |
У роботі повідомляється про моделювання ширини збідненої зони та порогової напруги безперехідного польового транзистора з паралельним затвором. Ширина збідненої зони отримується розв’язуванням одновимірного рівняння Пуассона вздовж каналу пристрою в напрямку y. Також враховується центральний потенціал через область каналу пристрою. За допомогою моделі ширини збідненої зони та центрального потенціалу пристрою отримують порогову напругу пристрою. Були проведені дослідження для різних варіацій ширини збідненої зони залежно від напруги між затвором і джерелом, товщини оксиду затвора та різних діелектричних матеріалів затвора. Для напруги зміщення на затворі 0,6 В ширина збідненої зони складає 4 нм. Зміну порогової напруги отримують і аналізують, враховуючи різні напруги стоку, концентрації легування, температури та роботи виходу. Пристрій допускає порогову напругу 0,47 В при концентрації легування 1019 см – 3, температурі 300 К, роботі виходу 5,4 еВ і напрузі стоку 1 В. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Синтез і характеристики наночастинок фериту Mg-Cd (Mg0.5Cd0.5Nd0.01Fe1.99O4), легованого Nd3+, отриманого у формі товстої плівки для датчиків газу [04001-1-04001-4]2) Структурні, оптичні та магнітні властивості нанокристалічних тонких плівок Cd1 – xMnxS при кімнатній температурі [04002-1-04002-5]
3) Магнітні властивості сполук Co0.1Sb2Te3, Ni0.1Bi2Te3 та Ni0.2In4Se3 [04003-1-04003-3]
4) Деякі фізичні параметри халькогенідів кальцію при високих тисках: напівемпіричний підхід [04004-1-04004-4]
5) Перехідне тривимірне термомеханічне моделювання фрикційного контакту системи Pin-on-Disc [04006-1-04006-5]
6) Евристичне моделювання можливостей НБІТ: когнітивні аспекти [04007-1-04007-5]
7) Структура та властивості електроактивних композитів на основі олігомерів різної молекулярної маси, допованих сіллю перхлорату літію [04008-1-04008-5]
8) Дослідження гетеродіелектричного заглибленого оксиду та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом [04009-1-04009-4]
9) Оптичні характеристики колоїдних квантових точок AgInS2, синтезованих з водних розчинів [04010-1-04010-6]
10) Вивчення структурних, магнітних та оптичних властивостей кластерів PtAun (n = 1-9) з використанням теорії функціоналу густини [04011-1-04011-5]
11) Визначення оптимальних режимів електронно-променевої мікрообробки поверхонь оптичних елементів [04012-1-04012-7]
12) Приготування об'ємного гетеропереходу перовскіт : фулерен з використанням схеми мікроемульсії без поверхнево-активної речовини. Моделювання, симуляція та експериментальні дослідження [04013-1-04013-5]
13) Обробка нелінійних електричних кіл за допомогою похідної Капуто-Фабріціо [04014-1-04014-5]
14) Утворення дислокацій при легуванні фосфором в технології кремнієвих p-i-n фотодіо-дів та їх вплив на темнові струми [04015-1-04015-6]
15) Фоточутливі гетеропереходи CuFeO2/n-InSe [04016-1-04016-5]
16) Оптична діагностика нанокристалів CdSe1 – xTex, вирощених у боросилікатному склі [04017-1-04017-6]
17) Кінетика розподілу надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [04018-1-04018-5]
18) Вплив відпалу на фізичні властивості хімічно виготовлених плівок Cu2 – xSe [04019-1-04019-4]
19) Еволюція магнітного порядку в нанокристалічному сплаві Fe1 – xAlx [04020-1-04020-4]
20) Концентраційні ефекти в електронних властивостях високоентропійних плівкових сплавів [04021-1-04021-4]
21) Дослідження сплавів Fe1 – xAlx, подрібнених у кульовому млині, за допомогою TEM та XPS [04022-1-04022-4]
22) Вплив ізовалентного заміщення катіонів Bi на катіони La на термодинамічні властивості та кристалічну структуру нанокомпозитів на основі BiFeO3 [04023-1-04023-5]
23) Напівемпіричні плазмонні коефіцієнти металів для наноплазмоніки [04024-1-04024-3]
24) Вплив різних концентрацій телуру на структурні та оптичні властивості наноструктурованих плівок ZnO, нанесених золь-гель методом [04025-1-04025-4]
25) Розподіл атомів молібдену в глибині поверхневого шару монокристалу ніобію, отриманого іонним бомбардуванням [04026-1-04026-3]
26) Основні характеристики напівпровідників антимоніду арсеніду галію та індію (GaxIn1 – xAsySb1 – y) за допомогою MATLAB [04027-1-04027-4]
27) Порівняння кремнію (Si) та арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB [04028-1-04028-4]
28) Мікросмужкова антена з розширенням смуги пропускання та круговою поляризацією з використанням L-слоту та стопкою прямокутних паразитних елементів [04029-1-04029-5]
29) Двовісна модель теплового балансу сонячного колектора [04030-1-04030-4]
30) Дослідження процесів швидкого перемикання в структурах на основі телуриду кадмію [04031-1-04031-4]
31) Чисельні дослідження теплового керування кількома електронними пристроями з використанням радіаторів із металевої піни [04032-1-04032-5]
32) Дослідження морфології поверхні під час вирощування наночастинок в гібридних плівках за допомогою методу впливу газу [04033-1-04033-4]
33) Термоелектричні охолоджувачі з фрикційними паровими гальмами [04034-1-04034-4]
