Вплив high-K діелектричного матеріалу як буфера на аналогові та радіочастотні характеристики GS-DG-FinFET
| Автори | A. Pattnaik, Sruti S. Singh, S.K. Mohapatra |
| Приналежність |
School Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar, India |
| Е-mail | asmita027@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 6 |
| Дати | Одержано 27 липня 2019; у відредагованій формі 05 грудня 2019; опубліковано online 13 грудня 2019 |
| Посилання | A. Pattnaik, Sruti S. Singh, S.K. Mohapatra, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 6, 06028 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(6).06028 |
| PACS Number(s) | 61.46. – w, 64.70.Nd, 81.07. – b, 85.30.De, 85.30.Tv |
| Ключові слова | GS-DG-FinFET, Спейсерна інженерія, Внутрішні ємності, High-K (13) , SCEs (4) . |
| Анотація |
У багатоканальній технології транзистор DG-FinFET є новою структурою завдяки кращому електростатичному контролю над каналом. У роботі представлено дослідження транзистора FinFET з подвійним затвором (DG-FinFET), який був модифікований за допомогою high-K діелектричного матеріалу як стека затворів (GS) та спейсерної інженерії, що здатна покращити його властивості. Характеристики транзисторів DG-FinFET, GS-DG-FinFET і GS-DG-FinFET зі спейсерною конфігурацією прирівнюються до показників якості короткоканальних ефектів (SCEs), аналогових і радіочастотних застосувань. Проаналізовані показники якості SCEs, такі як підпороговий нахил (SS), індуковане стоком зменшення бар'єру (DIBL) та відношення струмів переключення (ION/IOFF). У роботі аналогова ефективність пристроїв досліджується на базі таких параметрів, як транспровідність (gm), коефіцієнт посилення транспровідності (TGF), вихідна провідність (gd), струм стоку (ID), рання напруга (VEA), внутрішнє посилення (AV). Радіочастотна ефективність аналізується на основі показників якості паразитної ємності затвора (Cgd, Cgs та Cgg), порогової частоти (fT), коефіцієнта посилення частоти (GFP) і частотного коефіцієнту транспровідності (TFP). При цьому ми намагалися провести порівняльне дослідження, щоб запропонувати можливість поліпшення характеристик структури GS-DG при VDS = 0,05 В та 1,0 В. Тут параметр DIBL демонструє величину 49,8 %, а значення SS зменшилося на 32,65 %. Виходячи з дослідження аналогової ефективності, VEA підвищився на 4,31 %, TGF пристрою покращився на 33,9%, а його посилення порівняно зі звичайним. Моделювання виконане з урахуванням параметрів 45 нм вузла відповідно до дорожньої карти ITRS для високошвидкісних додатків та низькоенергоємних схем. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив часу осадження на властивості тонких плівок ZnO, осаджених ультразвуковим спрей-піролізом, для оптоелектронних застосувань [06001-1-06001-5]2) Оптоелектронне дослідження наночастинок сульфіду кадмію, покритих крохмалем [06002-1-06002-5]
3) Вплив часу відпалу на оптичні та структурні властивості нанострижнів ZnO [06003-1-06003-4]
4) Проектування та аналіз хвилеводного датчика структури на основі наночастинок і лівогвинтового матеріалу [06004-1-06004-5]
5) ІЧ лазерно-індуковані точкові дефекти в монокристалах CdTe:Mn [06005-1-06005-5]
6) Температурна залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії фосфору в германій із вільними електронами [06006-1-06006-4]
7) Електрофізичні властивості гранульованих плівкових сплавів [06007-1-06007-4]
8) Дослідження термостимульованого виділення водню зі сталей методом термічно-десорбційної мас-спектрометрії [06008-1-06008-5]
9) Локальна взаємодія електронів з кристалічними дефектами в твердому розчині CdSe0.2Te0.8: ab initio підхід [06009-1-06009-5]
10) Оптичні та коливальні властивості наночастинок Sm2NiMnO6 в залежності від температури спікання [06010-1-06010-5]
11) Циліндричний п'єзокерамічний випромінювач як складна динамічна система [06011-1-06011-7]
12) Залежність між структурно-морфологічними особливостями сумішей SiO2/TiO2 та розрядними ємностями літієвих джерел струму [06012-1-06012-8]
13) Вивчення впливу товщини плівки на структуру та оптичні властивості наноструктурованих тонких плівок ZnS, нанесених методом розпилення [06013-1-06013-5]
14) Взаємодія при баротермічній обробці вюртцитного нітриду бору з алмазами, отриманими при різних умовах синтезу [06014-1-06014-4]
15) Метод радіохвильової високочастотної хірургії: фізика процесів та медичне застосування [06015-1-06015-4]
16) Властивості фотодетектора на основі наноструктур поліанілін/CuO, синтезованих гідротермальним методом [06016-1-06016-6]
17) Вплив технологічних факторів на структуру та властивості високоентропійного сплаву FeCrMnCoNi [06017-1-06017-7]
18) Електронні енергетичні спектри кристалів ZnX (X = O, S, Se, Te), отримані комбінуванням функції Гріна та гібридного функціонала [06018-1-06018-5]
19) Створення фільтру за допомогою гравірування S-резонаторів до хвилеводу, інтегрованого у підкладку [06019-1-06019-6]
20) Вплив легування міддю та температури відпалу на структурні, морфологічні та оптичні властивості тонких плівок NiO [06020-1-06020-6]
21) Властивості чутливості графена до металевих наночастинок [06021-1-06021-4]
22) Особливості електричних характеристик октаграфенових нанотрубок [06022-1-06022-5]
23) Властивості та застосування нанопористого оксиду кремнія, наповненого поліаніліном та йодом [06023-1-06023-5]
24) Дослідження мікротвердості тонких керамічних покриттів, сформованих комбінованим електронно-променевим методом на діелектричних матеріалах [06024-1-06024-5]
25) Структура покриття CoCrAlY/ZrSiO4/Al2O3 до та після термічної обробки [06025-1-06025-4]
26) Рідиннофазна епітаксія тонких ізоперіодних гетероструктур твердих розчинів Pb1 – xSnxTe1 – ySey [06026-1-06026-5]
27) Енергетична структура та стабільність ізомерів мероціаніну як елементів пам'яті або перемикачів [06027-1-06027-5]
28) Квазічастинкова електронна структура тригональних кристалів CaSnO3 та ZnSnO3 [06029-1-06029-5]
29) Вплив поздовжнього магнітного поля на динаміку хвиль у мультигармонічному супергетеродинному ЛВЕ доплертронного типу з гвинтовим електронним пучком [06030-1-06030-5]
30) Отримання чистого гідроксиапатиту методом іонно-обмінної реакції [06031-1-06031-4]
31) Вивчення динаміки фононів об’ємного металевого скла Cu60Zr20Hf10Ti10 з використанням псевдопотенціалу [06032-1-06032-3]
