Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання
| Автори | А.І. Колесник, Д.О. Усіченко, Л.А. Назаренко |
| Приналежність |
1Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова, вул. Маршала Бажанова, 17, 61002 Харків, Україна 2Державне підприємство «Харківський регіональний науково-виробничий центр стандартизації, метрології та сертифікації», вул. Мироносицька, 36, 61000 Харків, Україна |
| Е-mail | olesnyk@kname.edu.ua |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Отримано 15 вересня 2018; у відредагованій формі 04 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | А.І. Колесник, Д.О. Усіченко, Л.А. Назаренко, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 1, 01002 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01002 |
| PACS Number(s) | 07.60.Dq, 85.60.Jb |
| Ключові слова | Світлодіодне джерело випромінювання, Спектральні характеристики (4) , Світлодіод (6) , Фотометр (5) , Стандартизація, Невизначеність. |
| Анотація |
У роботі описується розроблений метод випробувань світлодіодних джерел світла різних типів. Практична частина ґрунтується на стандартизації та математичному моделюванні характеристик світлодіодних джерел випромінювання. Перевірка розробленого методу відбувалась шляхом порівняння отриманих результатів з даними провідних національних і міжнародних лабораторій. Досліджено параметри світлодіодних ламп, які використовувалися в двох режимах роботи: перший режим - освітлення вдень (спектральні характеристики світла стимулюють вироблення кортизолу в організмі людини і покращує її пізнавальні здібності, продуктивність праці і концентрацію) та другий режим - освітлення ввечері (спектральні характеристики світла не пригнічують вироблення мелатоніну, а організм людини природно готується до відпочинку і сну). Перехід між двома режимами роботи виконується автоматично - за допомогою клавіші або пульта дистанційного керування. Представлені результати вимірювань світлодіодних світильників відповідають стандартам, тому існує можливість використання їх в серійному виробництві. Використаний в роботі метод, який відповідає вимогам стандартизації CIE, дозволить прогнозувати спектральні характеристики світодіодних джерел випромінювання, вказувати порядок виходу з ладу світлодіодів при підвищенні температури навколишнього середовища. Практична частина базується на стандартизації та впровадженні в практику теорії вимірювання світлодіодного випромінювання та методів математичного моделювання. Метою подальшого дослідження є розробка методів вивчення теплових параметрів світлодіодів та світлодіодних ламп на їх основі, що передбачає розробку математичної моделі теплових процесів у світлодіоді. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
3) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
4) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
5) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
6) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
7) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
8) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
9) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
10) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
11) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
12) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
13) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
14) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
15) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
16) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
17) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
18) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
19) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
20) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
21) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
22) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
23) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
24) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
