Preparation and Properties of Zinc Doped Cadmium Selenide Compounds by E-Beam Evaporation
| Автори | N.J. Suthan Kissinger1, K. Perumal2, J. Suthagar3 |
| Приналежність | 1 Department of Physics, Jubail University College, Jubail Industrial City 31961, Saudi Arabia 2 Department of Physics, SRMV College of Arts & Science, Coimbatore-641020, India 3 Department of Physics, Karunya University, Coimbatore-641114, India |
| Е-mail | suthanjk@gmail.com |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 3 |
| Дати | Received 12 June 2011, in final form 07 July 2011, published online 05 November 2011 |
| Посилання | N.J. Suthan Kissinger, K. Perumal, J. Suthagar, J. Nano- Electron. Phys. 3 No3, 5 (2011) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 73.61.Ga, 61.05.cp, 68.55.J, 88.37.Hk |
| Ключові слова | Cadmium Selenide, Zinc Selenide, Electron Beam (3) , Evaporation (18) , Optical Properties (22) . |
| Анотація |
Cd1 – xZnxSe films with different zinc content were deposited by electron beam evaporation technique onto glass substrates for the application of solid-state photovoltaic devices. The structural, surface morphological and optical properties of Cd1 – xZnxSe films have been studied in the present work. The host material,Cd1 – xZnxSe, have been prepared by the physical vapor deposition method of electron beam evaporation technique (PVD: EBE) under a pressure of 1 × 10 – 5 mbar. The X-ray diffractogram indicates that these alloy films are polycrystalline in nature, hexagonal structure with strong preferential orientation of the crystallites along (002) direction. Linear variation of lattice constant with composition (x) is observed. The optical properties shows that the band gap (Eg) values varies from 2.08 to 2.64 eV as zinc content varies from 0.2 to 0.8. The surface morphological studies show the very small, fine and hardly distinguishable grains smeared all over the surface. It is observed that the grain size is decreasing with increasing zinc content. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) TM Plasmons in a Cylindrical Superlattices (Lans) Wave-Guide Structure [015-027]2) On the Transconductance of Polysilicon Thin Film Transistors [028-035]
3) Determination of Thermal Activation Energy and Grain Size of Iron Hexadecachloro Phthalocyanine Thin Films [036-041]
4) Mathematical Simulation of Graphene With Modified c-c Bond Length and Transfer Energy [042-050]
5) Імітаційне моделювання впливу робочої температури і товщини шару на властивості тонкоплівкового сонячного елементу CIGS [051-058]
6) Нерівноважні стаціонарні режими межового тертя [059-069]
7) Методи формування і аналізу інтенсивних пучків електронів у статичних електромагнітних полях (огляд) [070-084]
8) Розрахунок системи фокусування електронного пучка в іонному джерелі масс-спектрометра з іонізацією електронним ударом [085-089]
9) Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію [090-099]
10) Мультигармонічні формувачі фемтосекундних електромагнітних кластерів на базі «звичайних» ЛВЕ: Аналіз [100-113]
11) Композитні наноструктури з металевими елементами [114-126]
12) Електронно-коливальна структура спектрів поглинання резазурину [127-138]
13) Структурні особливості нанокристалічного магнетиту різних варіантів синтезу за даними рентгенівської дифракції та електронної мікроскопії [139-147]
14) Вплив наноструктурних змін на напружене корозійне розтріскування конструкційних матеріалів ядерної енергетики при опроміненні протонами [148-164]
