Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2

Автори Г.С. Корнющенко
Приналежність

Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна

Е-mail ann_korn@ukr.net
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 2
Дати Одержано 14.03.2014, у відредагованій формі - 14.04.2014, опубліковано online - 20.06.2014
Посилання Г.С. Корнющенко, Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 2, 02017 (2014)
DOI
PACS Number(s) 81.07.Bc, 81.10.Bk, 81.15.Cd.
Ключові слова Нітрид алюмінію, Квазірівноважна стаціонарна конденсація, Реактивне магнетронне розпилення, Накопичувальна система плазма-конденсат.
Анотація В даній роботі були проведені дослідження впливу параметрів експерименту, таких як потужність розряду, тиск робочого газу, температура ростової поверхні на процес формування та основні характеристики шарів нітриду алюмінію. В результаті оптимізації вказаних параметрів одержані близькі до стехіометричного складу шари AlN, що мають кристалічну будову з гексагональною граткою типу вюрциту. Проведені дослідження структури, фазового складу та мікротвердості конденсатів, які мають найбільш близькі до стехіометричних елементні склади. Мікротвердість отриманих покриттів склала 0.760÷1.12 Гпа.

Перелік посилань

English version of article