Results (5):
| Назва | Нанокомпозитний матеріал на основі шаруватих кристалів GaSe та InSe, інтеркальованих сегнетоелектриком RbNO3 | |
| Автори | З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга | |
| Випуск | Том 5, Рік 2013, Номер 3 | |
| Сторінки | 03028-1 - 03028-7 | |
| Назва | Формування регулярних доменних структур у сегнетоелектриках при перемиканні поляризації у сильнонерівноважних умовах | |
| Автори | Л.І. Стефанович, О.Ю. Мазур | |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 2 | |
| Сторінки | 02032-1 - 02032-7 | |
| Назва | Неоднорідні стани в тонкошарових кристалах з неспівмірною надструктурою | |
| Автори | І.М. Куньо, С.А. Свелеба, І.В. Карпа, І.М. Катеринчук | |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 2 | |
| Сторінки | 02026-1 - 02026-6 | |
| Назва | Дослідження впливу локалізованих зарядів на параметри лінійності та спотворення для транзисторів з круговим затвором з сегнетоелектричних подвійних матеріалів | |
| Автори | Varun Mishra, Yogesh Kumar Verma, Santosh Kumar Gupta | |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 4 | |
| Сторінки | 04014-1 - 04014-6 | |
| Назва | Структурно-механічні дослідження сегнетоелектриків BaxPb1 − xTiO3 в залежності від температури спікання | |
| Автори | Sadiya Kazi, Feeda Savanur, Sushant Kakati, Shridhar N. Mathad, P.R. Jeergal, A.S. Pujar, C.S. Hiremath, S.L. Galgali, M.K. Rendale, R.B. Pujar | |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 4 | |
| Сторінки | 04018-1 - 04018-5 | |
