| Назва |
Вплив методів визначення параметрів бар'єрного переходу на їх точність |
| Автори |
В.С. Дмитрієв |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
| Сторінки |
05037-1 - 05037-5 |
| Назва |
Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3 |
| Автори |
Varra Niteesh Reddy, D.V. Vivekananda, G. Sai Krishna, B. Sri Vivek, P. Vimala |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Сторінки |
04005-1 - 04005-5 |
| Назва |
Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP |
| Автори |
A.H. Khediri, A. Talbi, M.A. Benamara, Z. Benamara |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Сторінки |
04002-1 - 04002-5 |
| Назва |
Моделювання анормальної поведінки діода Шотткі на основі 6H-SiC за допомогою функції Ламберта |
| Автори |
Abdelaziz Rabehi,, Abdelhalim Rabehi, Abdelmalek Douara, Hicham Helal, Oussama Baitiche, Boudali Akkal, Mohammed Amrani, Schahrazade Tizi, Zineb Benamara |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 6 |
| Сторінки |
06032-1 - 06032-4 |
