Назва | A Doping Dependent Threshold Voltage Model of Uniformly Doped Short-Channel Symmetric Double-Gate (DG) MOSFET’s | |
Автори | P.K. Tiwari, S. Dubey, S. Jit | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 | |
Сторінки | 0963 - 0971 |
Назва | Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor | |
Автори | Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza | |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 4 | |
Сторінки | 04037-1 - 04037-4 |