Назва |
Investigating the Temperature Effects on ZnO, TiO2, WO3 and HfO2 Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices |
Автори |
T.D. Dongale, K.V. Khot, S.V. Mohite, S.S. Khandagale, S.S. Shinde, V.L. Patil, S.A. Vanalkar, A.V. Moholkar, K.Y. Rajpure, P.N. Bhosale, P.S. Patil, P.K. Gaikwad, R.K. Kamat |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Сторінки |
04030-1 - 04030-4 |
Назва |
Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe |
Автори |
S.J. Trivedi, U.S. Joshi |
Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
Сторінки |
01025-1 - 01025-5 |
Назва |
Вплив матеріалів верхнього електрода на комутаційні характеристики та властивості витривалості пристрою RRAM на основі оксиду цинку |
Автори |
Chandra Prakash Gupta, Praveen K. Jain, Umesh Chand, Shashi Kant Sharma, Shilpi Birla, Sandeep Sancheti |
Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 1 |
Сторінки |
01007-1 - 01007-6 |