Results (3):

Назва Investigating the Temperature Effects on ZnO, TiO2, WO3 and HfO2 Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices
Автори T.D. Dongale, K.V. Khot, S.V. Mohite, S.S. Khandagale, S.S. Shinde, V.L. Patil, S.A. Vanalkar, A.V. Moholkar, K.Y. Rajpure, P.N. Bhosale, P.S. Patil, P.K. Gaikwad, R.K. Kamat
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 4
Сторінки 04030-1 - 04030-4
Назва Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe
Автори S.J. Trivedi,  U.S. Joshi
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 1
Сторінки 01025-1 - 01025-5
Назва Вплив матеріалів верхнього електрода на комутаційні характеристики та властивості витривалості пристрою RRAM на основі оксиду цинку
Автори Chandra Prakash Gupta, Praveen K. Jain, Umesh Chand, Shashi Kant Sharma, Shilpi Birla, Sandeep Sancheti
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 1
Сторінки 01007-1 - 01007-6