Назва |
Nanostructured Hydrogenated Silicon Films by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition: the Influence of Substrate Temperature on Material Properties |
Автори |
V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, A.M. Funde, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
Сторінки |
0590 - 0600 |
Назва |
Inter-Electrode Separation Induced Amorphous-to-Nanocrystalline Transition of Hydrogenated Silicon Prepared by Capacitively Coupled RF PE-CVD Technique |
Автори |
A.M. Funde, V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
Сторінки |
0651 - 0661 |
Назва |
Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT) |
Автори |
Abhishek Mukherjee, Prachi Sharma, Navneet Gupta |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
Сторінки |
04054-1 - 04054-3 |
Назва |
A Numerical Simulation of the Effect of Buffer Layer Band Gap on the Performances of nc-Si : H Based Solar Cells |
Автори |
H. Touati, B. Amiri, A.C. Sebbak, A. Benameur, H. Aït-kaci |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
Сторінки |
02008-1 - 02008-6 |