Results (2):
| Назва | Отримання електричних параметрів діода в умовах кімнатної температури в пристрої на основі InAsSb | |
| Автори | K. Mahi, B. Messani, H. Aït-Kaci | |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 4 | |
| Сторінки | 04030-1 - 04030-6 | |
| Назва | BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією | |
| Автори | M. Hebali, M. Bennaoum, M. Benzohra, D. Chalabi, A. Saïdane | |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 4 | |
| Сторінки | 04021-1 - 04021-6 | |
