| Назва |
Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів |
| Автори |
І.П. Бурик, А.О. Головня, М.М. Іващенко, Л.В. Однодворець |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Сторінки |
03005-1 - 03005-4 |
| Назва |
Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs |
| Автори |
Zohmingmawia Renthlei, Swagat Nanda, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Сторінки |
05013-1 - 05013-6 |
| Назва |
Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів |
| Автори |
Abdelkrim Mostefai, Smail Berrah, Hamza Abid |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06004-1 - 06004-5 |
| Назва |
Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET |
| Автори |
Payal Kumari, Swagat Nanda, Priyanka Saha, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Сторінки |
02004-1 - 02004-4 |
