| Назва |
Gate Leakage Current Reduction With Advancement of Graded Barrier AlGaN/GaN HEMT |
| Автори |
Palash Das, Dhrubes Biswas |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0972 - 0978 |
| Назва |
Prospects of III-Vs for Logic Applications |
| Автори |
U.P. Gomes, Y.K. Yadav, S. Chowdhury, K. Ranjan, S. Rathi, D. Biswas |
| Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
| Сторінки |
02009-1 - 02009-5 |
| Назва |
Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor |
| Автори |
I.A. Rogachev, A.V. Knyazkov, O.I. Meshkov, A.S. Kurochka |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
| Сторінки |
02044-1 - 02044-3 |
