| Назва |
Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison |
| Автори |
Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
| Сторінки |
0569 - 0575 |
| Назва |
Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study |
| Автори |
Rakesh Vaid, Meenakshi Chandel |
| Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
| Сторінки |
03007-1 - 03007-6 |
| Назва |
Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials |
| Автори |
Tawseef A. Bhat, M. Mustafa, M.R. Beigh |
| Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 3 |
| Сторінки |
03010-1 - 03010-5 |
| Назва |
An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET |
| Автори |
Arjimand Ashraf, Prashant Mani |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Сторінки |
04012-1 - 04012-5 |
| Назва |
Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs |
| Автори |
Zohmingmawia Renthlei, Swagat Nanda, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Сторінки |
05013-1 - 05013-6 |
