Автори | О.В. Синашенко1 , А.I. Салтикова2 I.Ю. Проценко1 |
Афіліація | 1 Сумський державний унiверситет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007, Суми, Україна 2 Сумський державний педагогiчний унiверситет iм. А.С.Макаренка, вул. Роменська, 87, 40002, Суми, Україна |
Е-mail | protsenko@aph.sumdu.edu.ua |
Випуск | Том 1, Рік 2009, Номер 2 |
Дати | Одержано 08.09.2009, у відредагованій формі – 02.10.2009 |
Цитування | О.В. Синашенко, А.I. Салтикова I.Ю. Проценко, Ж. нано- електрон. фіз. 1 №2, 89 (2009) |
DOI | |
PACS Number(s) | 66.30.Pa, 68.35.Fx, 72.10.Fk |
Ключові слова | Дифузійний профіль (3) , ВІМС (2) , Коефіцієнт дифузії (4) , Шорсткість інтерфейсу, Коефіцієнт проходження інтерфейсу. |
Анотація |
Наведені результати дослiдження дифузiйних процесiв методами ВІМС і ОЕС у плiвкових системах Cu/Fe i Fe/Cr; вивчено вплив температури відпалювання на ефективнi коефiцiєнти термодифузії. Розраховані величини коефiцiєнта проходження електронами iнтерфейсу та ефективні коефіцієнти дифузії при різних процесах: конденсаційно-стимульованої, іонно-стимульованої і термодифузії. |
Перелік цитувань |