Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки
| Автори | А.О. Ніконова , O.Ю. Небеснюк , З.A. Ніконова |
| Приналежність |
Інженерний навчально-науковий інститут імені Ю.М. Потебні Запорізького національного університету, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна |
| Е-mail | nk_alina@ukr.net |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 10 серпня 2022; у відредагованій формі 22 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | А.О. Ніконова, O.Ю. Небеснюк, З.A. Ніконова, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05014 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05014 |
| PACS Number(s) | 85.30. – z,72.40. + w |
| Ключові слова | Технологія (23) , Контактні системи (2) , Фотоелектричні перетворювачі (6) , Кремнієві структури (2) , Гетеропереходи (5) , Параметри (40) , Характеристики (50) . |
| Анотація |
У статті розглянуті шляхи підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів за рахунок застосування гетероструктур SnO2 | Zn2O3 – SiOx – nSi – n+Si і опрацювання технології виробництва контактних систем. Емпірично досліджено фізичні процеси, що відбуваються в гетероструктурах, проведено аналіз методологій та режимів їх отримання. Розглянуто значні переваги фотоелектричних перетворювачів на основі представлених структур в порівнянні із закордонними аналогами. Авторами запропонована альтернативна технологія створення контактних систем до гетероструктур і експериментально доведено, що відпалені контактні системи мають переваги, в першу чергу, з точки зору зниження числа технологічних операцій і до цього часу являються актуальними. Використання такої композиції дозволило знизити температуру відпалу, що привело до покращення морфології отриманих контактних систем у порівнянні з традиційними. Доведено, що застосування таких контактних систем дозволить підвищити ефективність фотоелектричних приладів за рахунок простоти технологічного процесу і дешевих матеріалів, що приведе до зниження собівартості виробу. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
14) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
15) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
16) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
17) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
18) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
19) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
