Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом
| Автори | С.Ю. Кутовий1, А.О. Корміліцина1, О.П. Становий1, В.Г. Пащенко1, М.М. Борова2, А.І. Ємець2 |
| Приналежність |
1Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Фізичний факультет, вул. Володимирська 60, 01601 Київ, Україна 2ДУ "Інститут харчової біотехнології та геноміки НАН України", вул. Осиповського 2а, 04123 Київ, Україна |
| Е-mail | sangulaire@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 26 листопада 2021; у відредагованій формі 13 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | С.Ю. Кутовий, А.О. Корміліцина, О.П. Становий та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02018 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02018 |
| PACS Number(s) | 78.60.Kn |
| Ключові слова | Термостимульована люмінесценція (4) , Наночастинки CdS (3) , Зелений синтез (2) , Пастки (5) , Енергія активації (12) . |
| Анотація |
Методом термолюмінесценції (ТЛ) в інтервалі температур 80-400 К вперше досліджено наночастинки CdS, отримані зеленим синтезом в біосистемах базидіального гриба Pleurotus ostreatus та коренів льонку Linaria maroccana. Для порівняння характеристик ТЛ наночастинок CdS, отриманих зеленим синтезом з іншими, досліджено зразки двох типів CdS, нано- та мікророзмірів, вирощених хімічними методами. Оскільки інтенсивність люмінесценції була незначною, а інтегральна крива ТЛ практично не розділялась на елементарні піки, енергії активації визначались за формою елементарних кривих ТЛ, які отримувались в результаті розкладу інтегральної кривої на елементарні контури згідно формул для лінійної та квадратичної кінетики ТЛ. Встановлено, що значення енергії активації пасток кривих ТЛ наночастинок CdS, отриманих зеленим синтезом, лежать в межах 0.09-0.53 еВ, що корелює з отриманими значеннями енергії активації для відповідних смуг ТЛ зразків CdS, отриманих хімічними методами (0.07-0.62 еВ). Для всіх типів зразків CdS криві ТЛ мають подібну форму і практично один склад елементарних піків, які відрізняються лише розподілом інтенсивностей окремих піків. Тобто, незалежно від методу синтезу частинок, вони мають подібну дефектну структуру, і, відповідно, подібну природу ТЛ. В цілому, на підставі ТЛдосліджень робиться висновок, що наночастинки CdS, отримані зеленим синтезом за допомогою Pleurotus ostreatus та Linaria maroccana є достатньо якісними, за своєю дефектною структурою вони практично не відрізняються від наночастинок CdS, отриманими традиційними хімічними методами, і є перспективним матеріалом для широкого застосування, причому такий CdS є порівняно екологічним матеріалом. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
16) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
17) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
