Автори | P. Vimala1, Manjunath Bassapuri1, C.R. Harshavardhan1, P. Harshith1, Rahul Jarali1, T.S. Arun Samuel2 |
Афіліація |
1Department of Electronics & Communication Engineering, Dayananda Sagar College of Engineering, Shavige Malleshwara Hills, Bengaluru, 560078 Karnataka, India 2National Engineering College, Kovilpatti, 628503 Tamil Nadu, India |
Е-mail | drvimala-ece@dayanandasagar.edu |
Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
Дати | Одержано 29 березня 2021; у відредагованій формі 09 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
Цитування | P. Vimala, Manjunath Bassapuri, C.R. Harshavardhan, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04021 (2021) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04021 |
PACS Number(s) | 72.80.Vp, 85.30.Tv |
Ключові слова | NanoHUB, Графен (38) , GFET (3) , Рухливість (6) , Струм стоку (2) . |
Анотація |
Метою роботи є підвищення продуктивності нанопристроїв, що в цілому дає переваги електронним додаткам. Продуктивність при низькому споживанні енергії, висока чутливість і більша швидкість перемикання є необхідними умовами сучасної ери електроніки. Запропонована робота визначає тривимірну структуру польового транзистора на графені (GFET). Зазначена структура перебуває в еволюційній фазі і досліджується щодня. Основні переваги пристрою з точки зору загальної продуктивності і конкретних додатків зробили цікавим його детальне дослідження. Структура графену забезпечує виняткові можливості для його роботи і, отже, є відмінним рішенням для сенсорних додатків. Графен розміщується між витоком і стоком, утворюючи міст і забезпечуючи шлях для руху електронів. Нанопристрій моделюється для таких електричних параметрів, як струм стоку, напруга стоку, напруга Дірака, рухливість, густина електронів, густина дірок, температура. Пристрій моделюється за допомогою інструменту моделювання NanoHUB. Запропоновано поведінку струму стоку при зміні довжини каналу і напруги на затворі. Спостерігаються поліпшені характеристики пристрою при зменшенні довжини каналу, напруги на затворі та зсуву точки Дірака. Точка Дірака відіграє життєво важливу роль у механізмі провідності графену, а отже, і GFET. Для даних параметрів моделювання вивчали точку Дірака і спостерігали її зсув, що призводило до зміни провідності. Варіацію струму стоку було змодельовано для різних напруг стоку, що дало достатні докази ефективності і, отже, низького енергоспоживання. Розподіл носіїв та різних робочих температур уздовж каналу представлено для змінної напруги на затворі. Результати показують перевагу GFET для сьогоднішніх потреб в сенсорних додатках. |
Перелік цитувань |