Магнiторезистивнi та магнiтооптичнi властивостi двокомпонентних плiвкових сплавів на основі заліза
| Автори | О.В. Власенко , О.П. Ткач , Н.І. Шумакова , Л.В. Однодворець |
| Афіліація |
Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Дати | Одержано 25.05.2018, у відредагованій формі – 12.08.2018 , опубліковано online 25.08.2018 |
| Цитування | О.В. Власенко, О.П. Ткач, Н.І. Шумакова, Л.В. Однодворець, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 4, 04016 (2018) |
| DOI | http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04016 |
| PACS Number(s) | 75.70._i, 75.47.De, 85.75.Bb |
| Ключові слова | Двокомпонентна плівкова система, Процеси упорядкування, Германіди заліза, ГМО (4) , Магнітооптичний ефект Керра. |
| Анотація |
Представлені результати досліджень магнiторезистивних i магнітооптичних властивостей двокомпонентних плівкових систем на основі Fe і Pd, Pt або Ge, сформованих з рiзною концентрацiєю пара- або діамагнітної компоненти в одному технологiчному циклi методом пошарової або одночасної конденсацiї з наступною термообробкою в iнтервалi температур 300-1070 К. Дослiдження магнiторезистивних властивостей плiвкових матерiалiв на основі Fe і Pd або Pt вказують на те, що при загальнiй концентрацiї атомiв пара- або діамагнітного матеріалів вiд 15 до 68 ат.% в них відбуваються процеси упорядкування з утворенням фаз ГЦТ-FePd і ГЦТ-FePt, а також залишковим ефектом фіксації магнітних інтерфейсів, що спричиняє спін-залежне розсіювання електронів та ефект гігантського магнітоопору, величина якого при Т = 300 К має величину 0,6 %. Експериментальні дослідження магніторезистивних властивостей плівкових матеріалів на основі Fe і Ge дозволили встановити, що при cGe = 60-68 ат.% зростання амплітуди магнітоопору вiд (0,02-0,04) % у невiдпалених системах до (0,35-0,44) % у вiдпалених до 1070 К плівках вiдбувається за рахунок формування магнiтних фаз германiдiв залiза по усьому об’єму зразка. У відпалених плівках на основі Fe і Pd, Pt або Ge спостерігалась залежність кута Керра від індукції магнітного поля у вигляді прямокутної петлі гістерезису, що пояснюється низькою коерцитивністю відпалених плівкових матеріалів. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Impact of Sputtering Pressure on Structural, Optical, Electrical and Morphological Properties of Titanium Doped Zinc Oxide Thin films Using Metallic Target [04001-1-04001-5]2) Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних нано-структурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [04002-1-04002-12]
3) New Nonrelativistic Three-Dimensional Spectroscopic Studies of NMGECSC Potential in Presence of External Electric [04003-1-04003-8]
4) Parametric Study of Stacked Microstrip Patch Antenna with Dissimilar Substrates [04004-1-04004-4]
5) Kinetics of Blue Emission during Ultraviolet Insolation on Germanosilicate Optical Fiber [04005-1-04005-5]
6) Electrons Extraction from MWCNT/PEO Composites [04006-1-04006-5]
7) Optimizing Combination of Parameters for Pull-off Adhesion Testing through Design of Experiment Study [04007-1-04007-7]
8) Термодинамічний аналіз процесу кристалізації сплавів системи Ni-Zr [04008-1-04008-4]
9) Фотолюмінесцентні властивості наногетерогенних плівкових структур НК CdTe/ТГК/сополімер вінілацетат-акрилату [04009-1-04009-4]
10) Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів [04010-1-04010-4]
11) The Theoretical Study of Electron Dispersion of Some Liquid Metals Using Transition Metal Model Potential (TMMP) [04011-1-04011-4]
12) An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET [04012-1-04012-5]
13) Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D [04013-1-04013-4]
14) Gunn Diodes Based on Graded InGaP-InPAs [04014-1-04014-6]
15) Особливості електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію з концентрацією домішки в області переходу метал-діелектрик за низьких температур [04015-1-04015-7]
16) A New Electro-Thermal Modeling of Low Voltage Power MOSFET with Junction Tempera-ture Dependent Foster (RC) Thermal Network [04017-1-04017-5]
17) Дислокаційний гістерезис у змішаному стані надпровідника ІІ роду [04018-1-04018-6]
18) p-i-n фотодіод на основі кремнію з малим часом зростання [04019-1-04019-5]
19) Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників [04020-1-04020-6]
20) Комп'ютерне моделювання системи екстракції джерела негативних іонів водню за допомогою пакета IBSimu [04021-1-04021-9]
21) Фотоіндуковані просторово-часові коливання і структурна самоорганізація в полімер-іммобілізованих дисперсних напівпровідниках [04022-1-04022-8]
22) Дослідження фотоелектричних перетворювачів на основі різних напівпровідникових матеріалів [04023-1-04023-6]
23) Електропровідність та процеси діелектричної релаксації керамічної системиY2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3 [04024-1-04024-4]
24) Підвищення ефективності роботи лінійного п'єзоелектричного мотора [04025-1-04025-5]
25) Квантовое столкновение двух вертикальных блоховских линий в доменной границе одноосной ферромагнитной пленки [04026-1-04026-4]
26) A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs [04027-1-04027-4]
27) Збільшення вірогідності безвідмовної роботи ІЧ-приладів самонаведення та спостереження шляхом електронно-променевої обробки оптичних обтічників [04028-1-04028-7]
28) Магнітні дослідження наночастинок шаруватого магніторозчиненого напівпровідника [04029-1-04029-5]
29) Першопринципний розрахунок домішково-дислокаційної взаємодії в кремнії [04030-1-04030-5]
30) Вплив умов термообробки на магніторезистивні властивості тришарових структур Fe0,2Co0,8/Cu/Fe0,2Co0,8 [04031-1-04031-5]
31) Особливості структури високоентропійного сплаву FeCoNiCrMn [04032-1-04032-10]
32) Пористий вуглець на основі антрациту як електродний матеріал літієвих джерел струму [04033-1-04033-5]
33) Ab initio Study of the Effect of H2O Molecules Adsorption on the Semiconducting Graphene Nanoribbon [04034-1-04034-3]
