Локальне розсіяння електронів на дефектах кристалічної гратки в InSb та InN

Автори О.П. Малик
Приналежність

Національний університет «Львівська політехніка», кафедра напівпровідникової електроніки, пл. Св. Юра, 1, 79013 Львів, Україна

Е-mail omalyk@ukr.net
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Дати Одержано 15.02.2016, опубліковано online - 21.06.2016
Посилання О.П. Малик, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02018 (2018)
DOI 10.21272/jnep.8(2).02018
PACS Number(s) 72.20.Dp
Ключові слова Дефекти гратки, Антимонід індію, Нітрид індію (3) .
Анотація У представленій роботі розглядається взаємодія електронів з дефектами гратки, які характеризуються потенціалом лімітованого радіусу дії, в кристалах антимоніду та нітриду індію. Концентрація домішок в досліджених кристалах n-InSb складала (1÷8) × 1014 см – 3, а в зразку n-InN ≈ 6 × 1017 см – 3. В рамках аналітичного розв’язку стаціонарного кінетичного рівняння Больцмана, використовуючи принцип близькодії, встановлено температурні залежності рухливості електронів, фактору Холла та термоелектрорушійної сили в антимоніді індію в температурному діапазоні 8-700 К. Для кристалу нітриду індію представлено залежності рухливості електронів та фактору Холла від температури в діапазоні 4.2-560 K.

Перелік посилань

English version of article