| Назва |
Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник |
| Автори |
В.С. Дмитрієв |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Сторінки |
01016-1 - 01016-4 |
| Назва |
Перехідні процеси в мікроелектронних композиціях Ag-Ge-In/n-GaAs |
| Автори |
В.С. Дмитрієв, Л.Б. Дмитрієва |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 2 |
| Сторінки |
02027-1 - 02027-5 |
| Назва |
Вплив методів визначення параметрів бар'єрного переходу на їх точність |
| Автори |
В.С. Дмитрієв |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
| Сторінки |
05037-1 - 05037-5 |
| Назва |
Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію |
| Автори |
С.О. Вамболь, І.Т. Богданов, В.В. Вамболь, Я.О. Сичікова, О.М. Кондратенко, Т.П. Несторенко, С.В. Онищенко |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
| Сторінки |
06016-1 - 06016-4 |
| Назва |
Вплив морфології поруватого шару GaAs на параметри контакту Шотткі паладій / поруватий GaAs |
| Автори |
А.П. Оксанич, С.Е. Притчин, М.Г. Когдась, О.Г. Холод, І.В. Шевченко |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 5 |
| Сторінки |
05007-1 - 05007-5 |
| Назва |
Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв |
| Автори |
С.І. Крюковський, В. Аріков, А.О. Воронко, В.С. Антонюк |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Сторінки |
02016-1 - 02016-5 |
| Назва |
Порівняння кремнію (Si) та арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB |
| Автори |
Abdelkrim Mostefai |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
| Сторінки |
04028-1 - 04028-4 |
