Назва | Investigation of Current-Voltage Characteristics of Ni/GaN Schottky Barrier Diodes for Potential HEMT Applications | |
Автори | Ashish Kumar, Seema Vinayak, R. Singh | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 | |
Сторінки | 0671 - 0675 |
Назва | A Study of Schottky Barrier Height Inhomogeneity on In/P-Silicon | |
Автори | B.P. Modi | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 | |
Сторінки | 0680 - 0683 |
Назва | Current Transport Behaviour of Au/n-GaAs Schottky Diodes Grown on Ge Substrate With Different Epitaxial Layer Thickness Over a Wide Temperature Range | |
Автори | N. Padha, R. Sachdeva, R. Sihotra, S.B. Krupanidhi | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 | |
Сторінки | 0926 - 0936 |