Results (3):

Назва Investigation of Current-Voltage Characteristics of Ni/GaN Schottky Barrier Diodes for Potential HEMT Applications
Автори Ashish Kumar, Seema Vinayak, R. Singh
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0671 - 0675
Назва A Study of Schottky Barrier Height Inhomogeneity on In/P-Silicon
Автори B.P. Modi
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0680 - 0683
Назва Current Transport Behaviour of Au/n-GaAs Schottky Diodes Grown on Ge Substrate With Different Epitaxial Layer Thickness Over a Wide Temperature Range
Автори N. Padha, R. Sachdeva, R. Sihotra, S.B. Krupanidhi
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0926 - 0936