| Назва |
Thermal Annealing Behaviour on Electrical Properties of Pd/Ru Schottky Contacts on n-Type GaN |
| Автори |
N. Nanda Kumar Reddy, V. Rajagopal Reddy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0921 - 0925 |
| Назва |
Gate Leakage Current Reduction With Advancement of Graded Barrier AlGaN/GaN HEMT |
| Автори |
Palash Das, Dhrubes Biswas |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0972 - 0978 |
| Назва |
Surface Passivation of Germanium Using NH3 Ambient in RTP for High Mobility MOS Structure |
| Автори |
Anil G. Khairnar, Y.S. Mhaisagar, A.M. Mahajan |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 2 |
| Сторінки |
02009-1 - 02009-3 |
