Назва | Effect of Number of Filaments on the Structure, Composition and Electrical Properties of µc-Si:h Layers Deposited Using HWCVD Technique | |
Автори | S.K. Soni, R.O. Dusane | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 | |
Сторінки | 0551 - 0557 |
Назва | Designing Single Chamber Hwcvd System for High Deposition Rate Device Quality A-Si:h Thin Films and Solar Cells | |
Автори | N.A. Wadibhasme, S.K. Soni, Alka Kumbhar, Nagsen Meshram, R.O. Dusane | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 | |
Сторінки | 0942 - 0946 |
Назва | Effective Passivation of C-Si by Intrinsic A-Si:h Layer for hit Solar Cells | |
Автори | Shahaji More, R.O. Dusane | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 | |
Сторінки | 1120 - 1126 |