Back

Results (5):

Назва Effects of Interfacial Charges on Doped and Undoped HfOx Stack Layer with Tin Metal Gate Electrode for Nano-Scaled CMOS Generation
Автори S. Chatterjee, Y. Kuo
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 1
Сторінки 0162 - 0169
Назва Pt-Ti/ALD-Al2O3/p-Si MOS Capacitors for Future ULSI Technology
Автори Ashok M. Mahajan, Anil G. Khairnar, Brian J. Thibeault
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0647 - 0650
Назва Synthesis of Cerium Dioxide High-k Thin Films as a Gate Dielectric in MOS Capacitor
Автори Anil G. Khairnar, Y.S. Mhaisagar, A.M. Mahajan
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 3
Сторінки 03002-1 - 03002-3
Назва Quantum Mechanical Analysis of GaN Nanowire Transistor for High Voltage Applications
Автори Neel Chatterjee, Sujata Pandey
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 4
Сторінки 04063-1 - 04063-6
Назва Impact of SWCNT Band Gaps on the Performance of a Ballistic Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs)
Автори Devi Dass, Rakesh Vaid
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 4
Сторінки 04007-1 - 04007-5