| Назва |
Thermal Annealing Behaviour on Electrical Properties of Pd/Ru Schottky Contacts on n-Type GaN |
| Автори |
N. Nanda Kumar Reddy, V. Rajagopal Reddy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0921 - 0925 |
| Назва |
High-k HfO2 Based Metal-Oxide-Semiconductor Devices Using Silicon and Silicon Carbide Semiconductor |
| Автори |
N.P. Maity, A. Pandey, S. Chakraborty, M. Roy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0947 - 0955 |
| Назва |
AC Impedance Analysis of the Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diode: C-V Plots and Extraction of Parameters |
| Автори |
M. Benhaliliba, Y.S. Ocak, H. Mokhtari, T. Kiliçoglu |
| Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
| Сторінки |
02001-1 - 02001-4 |
