Назва | Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів | |
Автори | В.В. Кідалов, С.А. Кукушкін,,,, А.В. Осіпов,,,, А.В. Редьков,, А.С. Гращенко, І.П. Сошніков,, М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.Ф. Дяденчук | |
Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 3 | |
Сторінки | 03026-1 - 03026-6 |