Результаты (3):

Заголовок Investigating the Temperature Effects on ZnO, TiO2, WO3 and HfO2 Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices
Автор(ы) T.D. Dongale, K.V. Khot, S.V. Mohite, S.S. Khandagale, S.S. Shinde, V.L. Patil, S.A. Vanalkar, A.V. Moholkar, K.Y. Rajpure, P.N. Bhosale, P.S. Patil, P.K. Gaikwad, R.K. Kamat
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04030-1 - 04030-4
Заголовок Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe
Автор(ы) S.J. Trivedi,  U.S. Joshi
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Страницы 01025-1 - 01025-5
Заголовок Effect of Top Electrode Materials on Switching Characteristics and Endurance Properties of Zinc Oxide Based RRAM Device
Автор(ы) Chandra Prakash Gupta, Praveen K. Jain, Umesh Chand, Shashi Kant Sharma, Shilpi Birla, Sandeep Sancheti
Выпуск Том 12, Год 2020, Номер 1
Страницы 01007-1 - 01007-6