Результаты (5):

Заголовок Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison
Автор(ы) Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0569 - 0575
Заголовок Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study
Автор(ы) Rakesh Vaid, Meenakshi Chandel
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Страницы 03007-1 - 03007-6
Заголовок Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials
Автор(ы) Tawseef A. Bhat, M. Mustafa, M.R. Beigh
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Страницы 03010-1 - 03010-5
Заголовок Numerical Simulation and Mathematical Modeling of 3D DG SOI MOSFET with the Influence of Biasing with Back Gate
Автор(ы) Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Страницы 05002-1 - 05002-4
Заголовок An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET
Автор(ы) Arjimand Ashraf, Prashant Mani
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Страницы 04012-1 - 04012-5