Результаты (2):

Заголовок The Silicon-to-Silicon Anodic Bonding Using Sputter Deposited Intermediate Glass Layer
Автор(ы) R. Tiwari, S. Chandra
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 2
Страницы 0418 - 0425
Заголовок Modeling of Electron Mobility of GaN at Low Temperature and Low Electric Field
Автор(ы) Souradeep Chakrabarti, Shyamasree Gupta Chatterjee, Somnath Chatterjee
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 1071 - 1080