Результаты (3):

Заголовок Investigation of Current-Voltage Characteristics of Ni/GaN Schottky Barrier Diodes for Potential HEMT Applications
Автор(ы) Ashish Kumar, Seema Vinayak, R. Singh
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0671 - 0675
Заголовок A Study of Schottky Barrier Height Inhomogeneity on In/P-Silicon
Автор(ы) B.P. Modi
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0680 - 0683
Заголовок Current Transport Behaviour of Au/n-GaAs Schottky Diodes Grown on Ge Substrate With Different Epitaxial Layer Thickness Over a Wide Temperature Range
Автор(ы) N. Padha, R. Sachdeva, R. Sihotra, S.B. Krupanidhi
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0926 - 0936