Результаты (2):

Заголовок A Doping Dependent Threshold Voltage Model of Uniformly Doped Short-Channel Symmetric Double-Gate (DG) MOSFET’s
Автор(ы) P.K. Tiwari, S. Dubey, S. Jit
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0963 - 0971
Заголовок Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor
Автор(ы) Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04037-1 - 04037-4