Результаты (8):

Заголовок A Study of Schottky Barrier Height Inhomogeneity on In/P-Silicon
Автор(ы) B.P. Modi
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0680 - 0683
Заголовок Effect of Series Resistance and Interface State Density on Electrical Characteristics of Au/SiO2/n-GaN Schottky Diodes
Автор(ы) M. Siva Pratap Reddy, B. Prasanna Lakshmi, A. Ashok Kumar, V. Rajagopal Reddy
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0832 - 0837
Заголовок Thermal Annealing Behaviour on Electrical Properties of Pd/Ru Schottky Contacts on n-Type GaN
Автор(ы) N. Nanda Kumar Reddy, V. Rajagopal Reddy
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0921 - 0925
Заголовок Analytical Estimate of Open-Circuit Voltage of a Schottky-Barrier Solar Cell Under High Level Injection
Автор(ы) Pramila Mahala, Sanjay Kumar Behura, A. Ray
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0979 - 0991
Заголовок Phase Transition Sensitive Schottky Barriers In Ga-Si(P) Contacts
Автор(ы) B.P. Modi, J.M. Dhimmar, K.D. Patel
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 2
Страницы 02005-1 - 02005-3
Заголовок Basic Principles of Betavoltaic Elements and Prospects of their Development
Автор(ы) A.A. Davydov, Ye.N. Fyodorov, D.S. Kiselev, A.V. Popkova
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 3
Страницы 03049-1 - 03049-3
Заголовок Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SіC)1 – x(AlN)x
Автор(ы) V.I. Altukhov, B.A. Bilalov, A.V. Sankin, S.V. Filipova
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04003-1 - 04003-4
Заголовок Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions
Автор(ы) V.A. Skryshevsky, O.M. Kostiukevych, V.V. Lendiel, O.V. Tretyak
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Страницы 01023-1 - 01023-3