Результаты (5):

Заголовок Effects of Interfacial Charges on Doped and Undoped HfOx Stack Layer with Tin Metal Gate Electrode for Nano-Scaled CMOS Generation
Автор(ы) S. Chatterjee, Y. Kuo
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0162 - 0169
Заголовок Pt-Ti/ALD-Al2O3/p-Si MOS Capacitors for Future ULSI Technology
Автор(ы) Ashok M. Mahajan, Anil G. Khairnar, Brian J. Thibeault
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0647 - 0650
Заголовок Synthesis of Cerium Dioxide High-k Thin Films as a Gate Dielectric in MOS Capacitor
Автор(ы) Anil G. Khairnar, Y.S. Mhaisagar, A.M. Mahajan
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 3
Страницы 03002-1 - 03002-3
Заголовок Quantum Mechanical Analysis of GaN Nanowire Transistor for High Voltage Applications
Автор(ы) Neel Chatterjee, Sujata Pandey
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04063-1 - 04063-6
Заголовок Impact of SWCNT Band Gaps on the Performance of a Ballistic Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs)
Автор(ы) Devi Dass, Rakesh Vaid
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 4
Страницы 04007-1 - 04007-5