Заголовок |
Designing Single Chamber Hwcvd System for High Deposition Rate Device Quality A-Si:h Thin Films and Solar Cells |
Автор(ы) |
N.A. Wadibhasme, S.K. Soni, Alka Kumbhar, Nagsen Meshram, R.O. Dusane |
Выпуск |
Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5 |
Страницы |
0942 - 0946 |
Заголовок |
Effective Passivation of C-Si by Intrinsic A-Si:h Layer for hit Solar Cells |
Автор(ы) |
Shahaji More, R.O. Dusane |
Выпуск |
Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5 |
Страницы |
1120 - 1126 |
Заголовок |
Simulation Study on the Open-Circuit Voltage of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells Using AMPS-1D |
Автор(ы) |
B.M. Omer, F.A. Mohammed, A. Seed Ahmed Mahgoub |
Выпуск |
Том 6, Год 2014, Номер 1 |
Страницы |
01006-1 - 01006-4 |
Заголовок |
Influence of Characteristic Energies and Charge Carriers Mobility on the Performance of a HIT Solar Cell |
Автор(ы) |
Wassila Leila Rahal, Djaaffar Rached |
Выпуск |
Том 9, Год 2017, Номер 4 |
Страницы |
04001-1 - 04001-5 |
Заголовок |
Performance of p-i-n Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells Device |
Автор(ы) |
H. Yanuar, U. Lazuardi |
Выпуск |
Том 10, Год 2018, Номер 2 |
Страницы |
02045-1 - 02045-3 |
Заголовок |
Computer Simulation on the Behavior of the TCO/n-a-Si:H Interface Solar Cells |
Автор(ы) |
Djaaffar Rached, Habib Madani Yssaad, Wassila Leila Rahal |
Выпуск |
Том 10, Год 2018, Номер 5 |
Страницы |
05012-1 - 05012-4 |
Заголовок |
Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program |
Автор(ы) |
M. Rahmouni, S. Belarbi |
Выпуск |
Том 11, Год 2019, Номер 2 |
Страницы |
02008-1 - 02008-5 |