Результаты (2):

Заголовок Effect of Drift Region Doping and Coulmn Thickness Variations in a Super Junction Power MOSFET: a 2-D Simulation Study
Автор(ы) Deepti Sharma, Rakesh Vaid
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 1112 - 1119
Заголовок Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study
Автор(ы) Rakesh Vaid, Meenakshi Chandel
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Страницы 03007-1 - 03007-6