Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщиниквантового напівпровідникового дроту

Автори М.А. Рувінский, Б.М. Рувінский, О.Б. Костюк
Приналежність

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, 76018 Івано-Франківськ, Україна

Е-mail markruvinskii@gmail.com
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 2
Дати Одержано 19.03.2017, у відредагованій формі - 26.04.2017, опубліковано online - 28.04.2017
Посилання М.А. Рувінский, Б.М. Рувінский, О.Б. Костюк, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 2, 02024 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(2).02024
PACS Number(s) 73.21.Fg, 73.50.Lw
Ключові слова Квантовий напівпровідниковий дріт, Гауссові флуктуації товщини, Електропровідність (30) , ТермоЕРС (3) , Теплопровідність (10) .
Анотація Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гаусівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.

Перелік посилань