Температурна залежність спектрів ЯКР і параметрів кристалічної гратки InSe

Автори	Г.І. Ластівка¹ , А.П. Саміла¹ , М.Д. Раранський¹, З.Д. Ковалюк² , В.Н. Балазюк¹, В.О. Хандожко³
Приналежність	¹ Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58000 Чернівці, Україна ² Інститут проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича Національної академії наук України, Чернівецьке відділення, вул. Ірини Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна ³ Телерадіокомпанія «НБМ», вул. Електриків, 26, 04176 Київ, Україна
Е-mail	andriysamila@gmail.com
Випуск	Том 9, Рік 2017, Номер 2
Дати	Одержано 20.02.2017, у відредагованій формі - 25.04.2017, опубліковано online - 28.04.2017
Посилання	Г.І. Ластівка, А.П. Саміла, М.Д. Раранський, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 2, 02023 (2017)
DOI	10.21272/jnep.9(2).02023
PACS Number(s)	76.60.Gv, 73.61.Ey
Ключові слова	Мультиплетність спектрів, Структурні дефекти (3) , Політипи, ЯКР (4) , Міжшарова відстань.
Анотація	Вивчений вплив температурного відпалу на форму спектрів ЯКР 115In в InSe. Показано, що з поетапним зниженням температури відпалу стабілізується політипний склад шаруватого кристалу, знижується кількість дефектів і деформаційних напруг. За Х-дифрактограмами та спектрами ЯКР виявлений характер прояву блокової структури шаруватих кристалів.
	Перелік посилань Повний текст English version of article

Інші статті цього номера

1) Effect of Single and Double Layer Antireflection Coating to Enhance Photovoltaic Efficiency of Silicon Solar [02001-1-02001-4]
2) Sonochemical Synthesis of AgInS2 Quantum Dots and Characterisation [02002-1-02002-4]
3) Assessment of the H2 Followed by Air Sintering of Co-doped In2O3 Based Diluted Magnetic Semiconductors [02003-1-02003-3]
4) Analysis on Solar Panel Crack Detection Using Optimization Techniques [02004-1-02004-6]
5) Effect the Technique of Light Trapping on the Performance of Simple Junction n-p Solar Cells Based on GaAs and Si [02005-1-02005-3]
6) Smoluchowski Formulation for Simulation of Nano Core-Shell Structure Creation in Nanoparticle Fabrication by Laser Ablation in Liquid Media Process [02006-1-02006-4]
7) Отримання нанокристалів ZnS:Mn методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [02007-1-02007-4]
8) Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення [02008-1-02008-5]
9) Отримання нанокомпозиту анатаз / брукіт з контрольованими структурно- морфологіч-ними характеристиками [02009-1-02009-6]
10) Керована смугопропускна лінія передачі на основі одновісних монокристалічних гексаферитів в доменній області [02010-1-02010-5]
11) Cтруктура та сорбційні характеристики порошків феритів NiCrxFe2 – xO4 [02011-1-02011-7]
12) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії нанорозмірних об'єктів [02012-1-02012-4]
13) Two-Dimensional Graphene Superlattice:Energy Spectrum and Current-Voltage Characteristics [02013-1-02013-4]
14) Вплив синтетичних дискретних волоконна властивості епоксидних композитів для захисних покриттів [02014-1-02014-5]
15) Вплив танталу на текстуру вакуумних конденсатів міді [02015-1-02015-4]
16) Вплив домішки бору на структуру та механічні властивості гафнію [02016-1-02016-5]
17) The Exact Nonrelativistic Energy Eigenvalues for Modified Inversely Quadratic Yukawa Potential Plus Mie-type Potential [02017-1-02017-7]
18) Термостимульована люмінесценція нанодротів ZnO [02018-1-02018-3]
19) Thermally Evaporated Tin Oxide Thin Film for Gas Sensing Applications [02019-1-02019-4]
20) Тонкі плівки аморфних молекулярних напівпровідників для створення поверхневих темплатів упорядкованих структур [02020-1-02020-6]
21) Магніторезистивний ефект у гранульованих плівкових сплавах на основі Ag і Fe або Со [02021-1-02021-4]
22) Фотолюмінісцентні властивості PECVD плівок на основі Si, C, N [02022-1-02022-6]
23) Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщиниквантового напівпровідникового дроту [02024-1-02024-4]
24) Оствальдівське дозрівання квантових точок InAsSbР у рамках модифікованої теорії ЛСВ [02025-1-02025-6]
25) Методика отримання та властивості зносостійких покриттів на основі Ti і N та Ti, Al і N [02026-1-02026-7]
26) Перехідні процеси в мікроелектронних композиціях Ag-Ge-In/n-GaAs [02027-1-02027-5]
27) Про критичний розмір переходу феромагнетика в однодоменний стан [02028-1-02028-17]
28) Зниження міжфазного перемішування в багатошарових рентгенівських дзеркалах Sс/Si [02029-1-02029-6]
29) Розрахунки електронної структури об’ємних кристалів і нанокристалів групи АIIВVI (CdS, CdSe) методом модельного нелокального псевдопотенціалу [02030-1-02030-7]
30) Комп'ютерне моделювання радіаційно-стимульованих структурних змін і властивості багатоперіодної системи ZrNx/MoNx [02031-1-02031-5]
31) Формування регулярних доменних структур у сегнетоелектриках при перемиканні поляризації у сильнонерівноважних умовах [02032-1-02032-7]
32) Characterization of Thermally Oxidized Ti6Al4V Alloys for Dental Application [02033-1-02033-3]
33) Research of the Vacancy Migration Process on the Surface of BC Nanolayer [02034-1-02034-2]