Термостимульована люмінесценція нанодротів ZnO

Автори М.Р. Панасюк1, Б.И. Турко2, Л.Р. Топоровская2, В.Б. Капустянык1,2, Н.С. Рудко1
Приналежність

1 Науково-технічний і навчальний центр низькотемпературних досліджень, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна

2 Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна

Е-mail tyrko_borys@ukr.net
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 2
Дати Одержано 30.01.2017, у відредагованій формі - 26.04.2017, опубліковано online - 28.04.2017
Посилання М.Р. Панасюк, Б.И. Турко, Л.Р. Топоровская, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 2, 02018 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(2).02018
PACS Number(s) 78.55. – m, 78.55.Et, 78.60.Kn
Ключові слова Оксид цинку (17) , Наноструктури (22) , Термостимульована люмінесценція (4) , Фотолюмінесценція (29) , Власні дефекти (3) .
Анотація Проведено дослідження термостимульованої люмінесценції вирощених з парової фази нанодротів оксиду цинку в діапазоні температур 295-480 K. Визначено параметри центрів прилипання: енергію іонізації пасток, переріз захоплення носіїв заряду пасткою та частотний фактор. Їхні значення виявилися рівними 0,320,03 еВ, 6·10 – 18 см 2 і 1,9·10 6 с – 1, відповідно. Зроблено висновок про те, що «зелена» смуга люмінесценції в ZnO може бути пов’язаною з електронними переходами з донорних рівнів Zni на акцепторні рівні VZn.

Перелік посилань

English version of article