Перехідні процеси в мікроелектронних композиціях Ag-Ge-In/n-GaAs

Автори В.С. Дмитрієв , Л.Б. Дмитрієва
Приналежність

Запорізька державна інженерна академія, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна

Е-mail dems562@gmail.com
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 2
Дати Одержано 22.02.2017, у відредагованій формі - 27.04.2017, опубліковано online - 28.04.2017
Посилання В.С. Дмитрієв, Л.Б. Дмитрієва, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 2, 02027 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(2).02027
PACS Number(s) 73.20. – r, 85.40.Sz, 85.30.Hi
Ключові слова Арсенід галію (7) , Потрійний сплав, Омічний контакт, Питомий перехідний опір, Приконтактна область (2) , Відпал (31) , Перехідний шар (3) , Структура (212) .
Анотація В даний час розуміння структури межі розділу метал-напівпровідник здебільшого будується на дослідницьких даних. Це пов'язано з різноманіттям чинників, що впливають на характер процесів, які протікають на міжфазних межах напівпровідника і шару металізації. Досліджено мікроелектронну композицію на основі потрійного сплаву Ag-Ge-In (75 % Ag, 20 % Ge, 5 % In за вагою). Матеріал підкладки епітаксійний монокристалічний n-n+ GaAs (111) В, nе.ш.  2∙1016 см – 3, рухливість   5000 см2/(В∙с). Встановлено вплив попереднього відпалу GaAs-пластини на питомий перехідний опір досліджуваного контакту. Запропоновано феноменологічну модель формування омічного контакту Ag-Ge-In/n-GaAs(111), яка дозволяє встановити залежність між параметрами контакту та режимами термообробки. Встановлено, що при взаємодії плівки потрійного сплаву з приповерхневим шаром арсеніду галію відбувається утворення надлишкового Ga, який створює зі сріблом легкоплавкі сплави та хімічні сполуки, які впливають на величину опору контакту. Термообробка структури Ag-Ge-In/n-GaAs (111) призводить до взаємодифузії Ge і Ag у приконтактну область та формуванню полікристалічної, багатофазної, дрібнозернистої і досить рівномірної плівки.

Перелік посилань

English version of article